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IRLR/U7821CPbF
10000
1000
VGS = 0V,   f = 1 MHZ
Ciss = Cgs + Cgd, Cds SHORTED
Crss = Cgd
Coss = Cds + Cgd
Ciss
6
5
4
ID= 12A
VDS= 24V
VDS= 16V
Coss
3
100
Crss
2
1
10
1
10
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
100
0
0
2
4 6 8 10
Q G Total Gate Charge (nC)
12
Fig 5. Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 6. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
1000
100
1000
100
OPERATION IN THIS AREA
LIMITED BY R DS(on)
100μsec
10
T J = 175 ° C
10
1msec
1
T J = 25 ° C
1
Tc = 25°C
10msec
Tj = 175°C
Single Pulse
0.1
V GS = 0 V
0.1
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
1
10
100
4
V SD ,Source-to-Drain Voltage (V)
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
www.irf.com
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